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半導(dǎo)體潔凈室AMC控制方案


行業(yè)背景

半導(dǎo)體制程復(fù)雜,對(duì)氣態(tài)分子污染物(AMC)敏感的區(qū)域比較多,在腐蝕控制方面,未來(lái)幾年半導(dǎo)體制造將面臨多重挑戰(zhàn)。據(jù)新版半導(dǎo)體路線圖白皮書(shū)介紹,傳統(tǒng)半導(dǎo)體的尺寸將在2024年達(dá)到極限。但是,將有更多種類(lèi)的新器件、芯片堆疊和系統(tǒng)創(chuàng)新方法來(lái)持續(xù)計(jì)算機(jī)性能、功耗和成本的優(yōu)化。國(guó)際器件與系統(tǒng)線路圖(IRDS)表示目前芯片成本降低方法主要是通過(guò)縮小多晶硅間距、金屬互連間距和電路單元的高度,這種現(xiàn)象將持續(xù)到2024年。

化學(xué)過(guò)濾器的生命周期對(duì)AMC去除效率影響很大,根據(jù)國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)路線圖(ITRS),對(duì)光刻掃描儀晶圓環(huán)境AMC管控要求比較嚴(yán)格,無(wú)機(jī)酸總量目標(biāo)值0.05ppbv、總堿目標(biāo)值0.2ppbv、揮發(fā)性有機(jī)物目標(biāo)值0.26ppbv。本文介紹化學(xué)過(guò)濾系統(tǒng)要素,包括AMC污染源、AMC控制目標(biāo)值、新風(fēng)化學(xué)過(guò)濾器與FFU化學(xué)過(guò)濾器配置方案。

半導(dǎo)體生產(chǎn)制程包含有精密的微機(jī)電和積體電路,對(duì)生產(chǎn)環(huán)境潔凈度的要求特別嚴(yán)格,因此其整個(gè)制造過(guò)程都是在嚴(yán)格控制的潔凈室環(huán)境下完成的。在潔凈室技術(shù)中,污染不僅包括嚴(yán)格意義上的灰塵的微粒,還包括任何有干擾作用的固體、液體、氣體、熱和電磁,所以需要小心控制與生產(chǎn)者有關(guān)的環(huán)境,這可能會(huì)對(duì)產(chǎn)品生產(chǎn)過(guò)程和制造質(zhì)量產(chǎn)生負(fù)面的影響。

半導(dǎo)體工藝中,HEPA/ULPA過(guò)濾器是控制微粒污染的傳統(tǒng)技術(shù)。大多數(shù)潔凈室可以通過(guò)HEPA/ULPA過(guò)濾器控制大粒徑的懸浮污染微粒物,但隨著半導(dǎo)體產(chǎn)品工藝尺寸逐漸由0.25um向0.13um,甚至向納米級(jí)的趨勢(shì)發(fā)展,小顆粒污染物對(duì)產(chǎn)品的影響越來(lái)越大。眾多研究表明,潔凈室空氣中存在的懸浮分子污染物(AMC)會(huì)對(duì)生產(chǎn)工藝中的產(chǎn)品產(chǎn)生不同成度的影響,嚴(yán)重時(shí)會(huì)造成致命的產(chǎn)品缺陷和不良。而這些懸浮分子污染物又很難通過(guò)HEPA/ULPA過(guò)濾器進(jìn)行處理,所以研究測(cè)量并控制AMC含量成為了眾多生產(chǎn)商關(guān)心的重要問(wèn)題。

下面我們將簡(jiǎn)單講述有關(guān)AMC方面的一些知識(shí):

AMC是Airborne Molecular Contamination的縮寫(xiě),定義為懸浮分子污染物(不是懸浮微粒),大多出現(xiàn)在潔凈室和受控環(huán)境的大氣中。

懸浮微粒以Microns(微米)大小來(lái)定義,縮寫(xiě)為:um,微米是過(guò)濾行業(yè)中描述粉塵粒度和纖維直徑最常用的尺寸單位,1um=10-6m。

懸浮分子常以埃為單位,符號(hào)為 Å 埃格斯特朗(簡(jiǎn)稱(chēng)埃,符號(hào)Å)是一個(gè)長(zhǎng)度單位。它不是國(guó)際制單位,但是可與國(guó)際制單位進(jìn)行換算,即1 Å = 10^(-10) 米 = 0.1納米。

氣體分子污染物(AMC)是危害生產(chǎn)工藝并導(dǎo)致成品率降低的分子態(tài)化學(xué)物質(zhì),AMC會(huì)在半導(dǎo)體制造的柵底氧化、薄膜沉積、多晶硅和硅化物形成、接觸成型、光刻等多個(gè)關(guān)鍵工藝上對(duì)晶片表面、設(shè)備表面產(chǎn)生侵蝕,還會(huì)產(chǎn)生非控制性硼化物或磷化物摻雜、晶圓表面或光學(xué)鏡面產(chǎn)生陰霾、微粒產(chǎn)塵等危害,從而大大影響了產(chǎn)品的質(zhì)量。

根據(jù)化學(xué)品的特性,在國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備及材料協(xié)會(huì)(Semiconductor Equipmentand Materials Tnternational,SEMI)在SEMIF21-1102的標(biāo)準(zhǔn)中將潔凈室中的空氣污染物分為四種,一是酸性污染物,包括鹽酸、硝酸、硫酸、氫氟酸等;第二種是堿性污染物,主要是氨氣;第三種是可凝性污染物,指常壓下沸點(diǎn)大于室溫且會(huì)在表面凝結(jié)的化學(xué)物質(zhì)但不包含水;第四種是摻雜性污染物,可改變半導(dǎo)體物質(zhì)之電性能化學(xué)元素,如硼、磷、砷和金屬離子等。

 

 

潔凈室中的AMC來(lái)源分為外部污染和內(nèi)部污染,外部污染大致包括煙囪排放、汽車(chē)機(jī)車(chē)尾氣排放等,它們通常經(jīng)由新風(fēng)空調(diào)箱再吸回潔凈室內(nèi)。它的去除方式主要是在新風(fēng)空調(diào)箱內(nèi)設(shè)置對(duì)于酸性污染物和堿性污染物可高效凈化、針對(duì)有機(jī)化合物的有限空氣洗滌器和作用與酸堿性污染物、有機(jī)化合物的化學(xué)過(guò)濾器。內(nèi)部污染大致包括化學(xué)品、機(jī)臺(tái)設(shè)備、潔凈室內(nèi)作業(yè)人員、潔凈室內(nèi)建材等。特別是新建的廠房,建筑結(jié)構(gòu)材質(zhì)、涂料、機(jī)臺(tái)內(nèi)部材質(zhì)、接縫密封劑、晶圓儲(chǔ)存盒、PVC手套等塑膠材質(zhì)等都會(huì)對(duì)環(huán)境造成一定的影響。它的去除方式主要是通過(guò)高效過(guò)濾風(fēng)機(jī)組單元(FFU),主要在微循環(huán)風(fēng)口設(shè)置化學(xué)過(guò)濾器。

 

 

化學(xué)過(guò)濾器的定義為空氣分子污染隔離用的過(guò)濾器,其原理是通過(guò)物理和化學(xué)結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)。通常實(shí)際選用是要根據(jù)污染物種類(lèi)、濃度和處理風(fēng)量等條件來(lái)選擇合適的化學(xué)過(guò)濾器。目前的化學(xué)過(guò)濾器是選擇性的吸附氣體,而不是機(jī)械地“過(guò)濾”雜質(zhì)。吸附是固體物質(zhì)表面對(duì)氣體或液體分子的吸附現(xiàn)場(chǎng),其中固體物質(zhì)是吸附劑,被吸附的物質(zhì)稱(chēng)為吸附質(zhì)。吸附可分為物理吸附和化學(xué)吸附。

過(guò)濾材料是過(guò)濾器的核心部分?;瘜W(xué)過(guò)濾器的吸附材料(又成吸附劑)有多種如活性炭、氧化鋁、沸石、硅膠、離子交換樹(shù)脂等;其中活性炭具有巨大的比表面積、廣譜吸附性、來(lái)源豐富和經(jīng)濟(jì)等優(yōu)點(diǎn),在化學(xué)過(guò)濾器中被廣泛應(yīng)用,習(xí)慣上稱(chēng)之為活性炭過(guò)濾器。 

化學(xué)濾網(wǎng)安裝位置大致分為三種,如下:

1)MAU進(jìn)氣口;設(shè)置長(zhǎng)效性,高風(fēng)速型(V>2.5m/s)化學(xué)濾網(wǎng)。

2)設(shè)備進(jìn)氣口之高效過(guò)濾風(fēng)機(jī)組單元(FFU)上游處,設(shè)置低風(fēng)速型,V<1.0m/s。

3)循環(huán)風(fēng)回風(fēng)處,設(shè)置高效型,高風(fēng)速型2.5m/s>V>1.2m/s。

 

當(dāng)前半導(dǎo)體制程技術(shù)發(fā)展迅猛,芯片線寬已進(jìn)入納米級(jí),因此半導(dǎo)體潔凈室內(nèi)AMC的控制更顯得重要。在AMC的控制中,首要步驟是通過(guò)監(jiān)測(cè)分析識(shí)別污染物來(lái)源,再通過(guò)調(diào)整生產(chǎn)材料和工藝流程以去除污染物。同時(shí)在新風(fēng)、循環(huán)風(fēng)以及機(jī)臺(tái)側(cè)考慮安裝合適的化學(xué)過(guò)濾器來(lái)保護(hù)生產(chǎn)環(huán)境。對(duì)于潔凈室內(nèi)部分區(qū)域AMC含量的異常波動(dòng),需要巧妙運(yùn)用在線檢測(cè)的數(shù)據(jù)去系統(tǒng)分析任何一次超出控制的異常情況,找到引起波動(dòng)的真是原因,進(jìn)而找到有效的處理措施。

 

AMC污染源

半導(dǎo)體制造的潔凈廠房?jī)?nèi)AMC污染源有可能源于外氣、操作人員、制程產(chǎn)生、潔凈室用材釋氣和設(shè)備泄漏。源于外氣的AMC主要成分包括硫氧化物(SOx)、氮氧化物(NOx)、硫化氫(H2S)、氨氣(NH3)、揮發(fā)性有機(jī)物(VOCs)、臭氧(Os)等;源于操作人員的主要是氨氣(NH3);下表顯示按照AMC分類(lèi)源于半導(dǎo)體工藝制程、潔凈室用材釋氣、外氣的AMC主要成分和來(lái)源(參見(jiàn)表1)。

氣態(tài)分子污染物(AMC)對(duì)電子半導(dǎo)體制程的影響主要表現(xiàn)為表面分子污染,這是由氣態(tài)分子和特定表面作用而形成非常薄的化學(xué)膜,化學(xué)膜通常改變產(chǎn)品表面的物理、電子、化學(xué)和光學(xué)特性,主要表現(xiàn)在以下幾個(gè)方面:

 

· 導(dǎo)致光阻層表面硬化T型缺陷

· 硼磷摻雜不受控

· 導(dǎo)致不能控制蝕刻速度,鄰苯二甲酸二丁酯(DOP)易附著于晶片表面形成碳化硅SiC

· 引起閾值電壓改變,硼元素、三氟化硼等氣態(tài)污染物,會(huì)引起晶片表面污染

· 污染物氣體如氟化氫、氯化氫、硫酸、磷酸、氯氣、氮氧化合物等,引起晶片表面污染,導(dǎo)致金屬化制程中的金屬附著力下降

· 污染氣體導(dǎo)致芯片內(nèi)連接導(dǎo)線因腐蝕而報(bào)廢

· 造成掩模及步進(jìn)設(shè)備上光學(xué)鏡面模糊

· 導(dǎo)致設(shè)施和設(shè)備腐蝕而停機(jī)

 

晶圓表面污染的種類(lèi)及其對(duì)元器件的影響

新風(fēng)化學(xué)過(guò)濾器與

FFU化學(xué)過(guò)濾器配置萬(wàn)案

針對(duì)半導(dǎo)體的不同制程工藝,新風(fēng)化學(xué)過(guò)濾器與FFU化學(xué)過(guò)濾器配置方案會(huì)因很多因素而改變,比如:室外AMC濃度、潔凈室內(nèi)部產(chǎn)生的AMC濃度、新風(fēng)比、化濾的使用壽命和效率、化濾覆蓋率等。

MAU與潔凈室化學(xué)過(guò)濾系統(tǒng)示意圖

配置方案范例

表2是一個(gè)新風(fēng)化學(xué)過(guò)濾器與FFU化學(xué)過(guò)濾器配置方案范例,目標(biāo)AMC是無(wú)機(jī)酸,假設(shè)室外濃度是30ug/m³、化濾要蓋率50%、內(nèi)部產(chǎn)生源10pg/m³,需要滿(mǎn)足ITRS對(duì)光刻掃描儀潔凈室空氣和晶圓環(huán)境的濃度要求,分別5ppb和0.05ppb,制定的配置方案。根據(jù)以下的范例,30%化濾覆蓋率是不能滿(mǎn)足環(huán)境濃度要求;40%化濾要蓋率需要提高化濾的終止效率到90%以滿(mǎn)足環(huán)境濃度要求;50%-75%化濾要蓋率是比較合理的配置;化濾覆蓋率提高到100%配置過(guò)高,反而會(huì)提高每年化濾的用量。

針對(duì)客戶(hù)對(duì)空氣潔凈度的不同需求,佰倫凈化將通過(guò)采樣、現(xiàn)場(chǎng)勘測(cè)、技術(shù)診斷,評(píng)估潔凈室內(nèi)、外部空氣質(zhì)量,確認(rèn)氣態(tài)分子污染物(AMC)主要成分及濃度,針對(duì)性提出最匹配實(shí)際環(huán)境需求的解決方案,確保降低能耗的同時(shí),達(dá)到最佳空氣凈化效果。

 

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